ELEKTRONIKA

Transistor Bipolar - Bipolar Junction Transistor (BJT) memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Bipolar Junction Transistor (BJT) dibentuk dari 2 buah “P-N Junction”, sehingga transistor ini dapat dianalogikan sebagai penggabungan 2 buah dioda. “P-N Junction” pertama adalah Emiter-Basis dan “P-N junction” kedua adalah Basis-Kolektor. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif (forward bias). Jadi untuk bekerja transistor juga membutuhkan arus bias. Jadi prinsip kerja transistor adalah arus bias basis- emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

Ada dua jenis konstruksi transistor bipolar yaitu PNP dan NPN, beda keduanya terletak pada susunan semikonduktor tipe-P dan tipe-N transistor tersebut. Dengan perbedaan susunan ini maka operasi kedua transistor ini juga berbeda. Simbol antara BJT jenis PNP dan NPN juga berbeda, PNP mempunyai symbol dengan tanda panah pada emitter ke arah dalam sedangkan NPN sebaliknya panah pada emitter berarah keluar. Bipolar Junction Transistor (BJT) merupakan “current-amplifying device”, artinya BJT mengontrol jumlah arus yang mengalir pada basis dengan cara mengatur arus yang mengalir pada gambar kolektor dan kurva hubungan VCE, IC dan IB di bawah ini:

Berdasarkan kurva Hubungan VCE, IC dan IB ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown.

Keterangan

• Daerah Aktif >> Transistor beroperasi sebagai penguat dan Ic = β.Ib: Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).
• Saturation >> Transistor "fully-ON", Ic = I(saturation): Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama seperti dioda.
• Cut-off >> Transistor menjadi "fully-OFF", Ic = : Daerah dimana Vce masih cukup kecil sehingga Arus IC = 0 atau IB = 0. Transistor dalam kondisi off
• Daerah Breakdown : Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE max yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi.